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Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
∝ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 レ A
0.5
∝ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 3.15 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Operation in This Area
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Operation in This Area
10
10
10
10
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
2
1
0
-1
is Limited by R DS(on)
∝ Notes :
o
o
3. Single Pulse
DC
100 μ s
1 ms
10 ms
2
1
0
-1
is Limited by R DS(on)
∝ Notes :
o
o
3. Single Pulse
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
DC
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
-2
0
1
2
3
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for FQP8N90C
8
6
4
2
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for FQPF8N90C
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ ∩ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N90C / FQPF8N90C Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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